電的旅程 ( 179 )

「第十三章：電晶體的誕生」

＜蕭克萊最後的微笑 ( 5 )＞……續上

就在蕭克萊集中精神發展電晶體理論時，接面電晶體的可行性在實驗中也得到了初步證明。但若要大量生產，材料及製作技術上還有很大的困難。貝爾實驗室一個很大的競爭優勢就是人才濟濟，各方面的專家都有，達到足夠的「臨界質量」。在化學部門有一個研究員叫提爾（Gordon Teal），他對提煉純淨及結構完善的鍺晶及矽晶經驗豐富，蕭克萊及布拉頓等很多人做實驗用的半導體材料，都由他供給。

鍺晶及矽晶經過純化及冷卻後，都凝固成多晶體，就是物質中含有不同的區域（晶粒），各個區域內都是排列完整的單晶，但各個區域的取向不同，在區域之間會產生晶界，內含結構上的缺陷，也是眾多雜質滯留的地方。製造出來的電晶體內部如果含有晶界，性能肯定不好。

1949年，提爾針對三十年前由一位波蘭材料科學家所發明的方法，提出了改良辦法，來製造結講上完全是單晶的鍺。他認為這樣可以改進半導體結構的完美性，進而優化電晶體的性能及良率。提爾首次提出時，蕭克萊不以為然，但提爾還是決心一意孤行。後來他得到了專門負責生產電晶體的莫頓的支持，在短期內很快就製成了完美的鍺單晶。用這些材料來生產點觸電晶體時，無論性能及良率都有明顯的提高，莫頓大為興奮，蕭克萊也不得不承認當初是他錯了。……(待續)