電的旅程 ( 230 )

「第十六章：晶片技術的飛躍」

        ＜摩爾定律 ( 4 )＞……續上

        其實這並非定律，而是一個理性和具有前瞻性的晶片工業發展「路徑圖」。摩爾曾謙虛的說，當時這篇文章有做廣告的味道，他要說服客戶，表明快捷半導體的產品隨著時間會愈來愈先進。五十年來，全世界千千萬萬的技術人才就沿著摩爾定律的目標，埋頭苦幹，攀登高峰。

        開始的時候，主要技術挑戰是光刻的解析度，後來，每一步驟都需增加控制的精確性。「氣態擴散」（gas phase diffusion）技術走到了極限，新的「離子植入」（ion implantation）技術就取而代之；用液態酸來蝕刻矽及二氧化矽的精確度到頂了，新的「電漿助長乾蝕」（plasma-assisted dry etch）技術又應運而生。每一種新技術的發展及快速應用，都是了不得的事。可貴的是所有技術都整合在一起，組成一股巨大的力量，推動著晶片技術沿著摩爾定律向前發展。在1961年，諾宜斯設計的第一個正反器晶片上有3枚電晶體，到了今天，同樣大小的晶片上可容納超過30億枚電晶體。在五十年不到的時間裡，增加了10億倍，而晶片基本的價格卻沒有增加！

        這個技術的進步是過去四十年中，世界經濟成長及人類生產效率大幅提高的重要原動力之一。大家可以反思一下，在購買電子產品時，我們知道再過一年半載，同樣產品一定會更便宜，性能會更優越，這就是摩爾定律在發揮作用了。…… (完)