電的旅程 ( 274 )

「第十八章：光電與液晶技術」

        ＜發光的半導體 ( 2 )＞……續上

        1952年，德國西門子公司的半導體專家威爾科（Heinrich Welker）在實驗室中成功合成了由銦及銻組成的銻化銦（InSb），及由鎵及砷組成的砷化鎵（GaAs）。測量的結果證明，這些人造半導體的性能完全符合固態物理的預測。銻化銦因「能隙」太小，不適合在室溫運作，不過後來成了紅外線顯像的重要材料。砷化鎵的性能與矽相似，而且自由電子的「遷移率」（mobility）比矽更高，適用於發展超高速電子元件及微波電子元件，也適用於LED。……(待續)