電的旅程 ( 178 )

「第十三章：電晶體的誕生」

＜蕭克萊最後的微笑 ( 4 )＞……續上

在1948年這個發明還只是在理論階段，沒有實驗證明，但蕭克萊說服了管理階層，決定提前申請專利。這次在申請書上，發明人只有他一個人的名字。很多年後講起此事，蕭克萊喜歡指出一個當時激發他的因素，他稱之為「思考的決心」（will to think）。我們常常心中會有一些想法，但總是不能下決心去努力完成，不停拖延。如果有足夠的意志力，激勵自己去盡量發揮，一生中可以做成很多事。

1949年中，蕭克萊完成了p-n接面及接面電晶體的全部理論，成為半導體物理的經典之作，這些理論指導著往後六十年半導體元件和積體電路技術的發展。在理論研究過程中，蕭克萊非常有創意的將分析重點放在「少數載子」（minority carrier）的擴散及「場漂移」（field drift）規律上。提綱挈領，其他複雜的問題都迎刃而解，徹底而又精銳的闡明了半導體元件物理的基本原理，堪稱絕世傑作，為半導體元件設計及研發鋪好了扎實的理論基礎。……(待續)