電的旅程 ( 228 )

「第十六章：晶片技術的飛躍」

        ＜摩爾定律 ( 2 )＞……續上

        MOS場效電晶體（以下簡稱MOS）導電是由在矽與二氧化矽接面的「能槽」（channel）中的自由電子（n型）或電洞（p型）所導致，非常靈敏。MOS的好處是製造方法簡單，耗能量低，適合於製造大型的晶片。RCA實驗室在1962年成功製成了含12枚MOS的晶片，開創了晶片技術的新時代。很快的，MOS技術主導了晶片工業。

        1963年，快捷半導體的溫拉斯（Frank Wanlass）與薩支唐（C. T. Sah）認識到，如果把n型及p型的MOS技術在同一晶片中結合起來，設計出來的邏輯晶片耗能量更可以減少到極低境界。這個技術稱為「互補金氧半導體」（complementary MOS，簡稱CMOS）。RCA實驗室在1967年成功示範了CMOS製造技術。從此，用平面製程製造的CMOS電晶體，成為晶片工業的主流技術，直至今日。…… (待續)