電的旅程 ( 227 )

「第十六章：晶片技術的飛躍」

        ＜摩爾定律 ( 1 )＞

        早期晶片上的電晶體用的是蕭克萊的接面設計，雖然性能很好，但製造技術較複雜、耗電量也較高。當晶片上密密的排滿很多電晶體時，運作時會產生很多熱量，使得整個晶片溫度增高，減低了晶片的性能及可靠度。

        1958年，貝爾實驗室的阿泰拉（M. M. Atalla）仔細研究了矽與二氧化矽接面的性質，發現可以用附在二氧化矽表面上電閘的電壓，來控制閘極下矽的導電性，原理和蕭克萊在1938年提出來的場效電晶體相似，但性能更優越。用這個原理，阿泰拉在1960年製成了第一個「金氧半導體，metal-oxide-semiconductor，簡稱MOS」場效電晶體。…… (待續)